兰州大学刘永辉获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州大学申请的专利基于前接触式的宽谱段铟镓砷电池和电池阵列组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223067440U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421898972.2，技术领域涉及：H10F19/80；该实用新型基于前接触式的宽谱段铟镓砷电池和电池阵列组件是由刘永辉;李嘉鹏;吕晓宇;袁渊;汤亮亮;邵剑雄;黄彦平;宫厚军;郑若涵;柴晓明;吴舸设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于前接触式的宽谱段铟镓砷电池和电池阵列组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了基于前接触式的宽谱段铟镓砷电池和电池阵列组件，所述基于前接触式的宽谱段铟镓砷电池包括从上到下依次设置的衬底、缓冲层、过渡层；过渡层上分别设有P‑N结层和负极，P‑N结层上设有窗口层，窗口层上设有前接触层，前接触层上分别设有正电极和减反射层。传统的铟镓砷电池的结构是正负电极分别在正反两面，本实用新型所述的前接触式铟镓砷电池的正负电极均在电池正表面，这种结构的电池在制备成阵列组件时，相邻电池之间的间距可缩减至50μm，解决了传统铟镓砷电池制备成阵列时相邻电池间距大容易短路等问题；采用本实用新型方法制备的电池组件，有效利用面积大，并且组件中方便更换损坏的电池。
本实用新型基于前接触式的宽谱段铟镓砷电池和电池阵列组件在权利要求书中公布了：1.基于前接触式的宽谱段铟镓砷电池，其特征在于，包括从上到下依次设置的衬底、缓冲层、过渡层；过渡层上分别设有P-N结层和负极，P-N结层上设有窗口层，窗口层上设有前接触层，前接触层上分别设有正电极和减反射层；其中负极与基极不接触，负极与发射极不接触，正电极与减反射层不接触。
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