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龙图腾网获悉济南晶恒电子有限责任公司申请的专利功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119001382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411100555.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法是由吴玉强;单维刚;张强;杜君慧;韩培峰;朱猛;邱丹;崔玉宝;乔思玉;王晓设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法在说明书摘要公布了：本申请提供了功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法，包括如下步骤：用半导体热分析设备对被测器件DUT进行结校准、结‑壳稳态热阻Rthjc测量和加热表征测量，通过热仿真获取DUT的瞬态热响应数据；通过计算绘制DUT壳温Tc在25℃下的理想SOA曲线图；测量DUT壳温Tc在25℃下的热不稳定性限制线；将上述热不稳定性限制线向下平行移动30％～40％即是DUT的热稳定性限制线；修剪SOA上无关的点和直线，得到完整的含有热稳定性限制线的SOA曲线图。本申请基于实验数据对SOA中每条最大功率限制线进行了校准，并提供了更多的安全裕量，由此确定的含有热稳定性限制线的功率MOSFET器件SOA曲线图反映的是器件真实地功率处理能力，提高了器件的可靠性，降低了用户的使用风险。

本发明授权功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法在权利要求书中公布了：1.功率MOSFET器件SOA热稳定性限制线确定方法，其特征在于，包括如下步骤： 第一步，用半导体热分析设备对被测器件DUT进行结校准、结-壳稳态热阻Rthjc测量和加热表征测量，通过热仿真获取DUT的瞬态热响应数据； 第二步，通过计算绘制DUT壳温Tc在25℃下的理想SOA曲线图，由导通电阻限制线、最大电流限制线、最大功率限制线和击穿电压限制线包络； 第三步，测量DUT壳温Tc在25℃下的热不稳定性限制线； 第四步，将上述热不稳定性限制线向下平行移动30％～40％即是DUT的热稳定性限制线； 第五步，修剪SOA上无关的点和直线，得到完整的含有热稳定性限制线的SOA曲线图； 所述第一步中，用半导体热分析设备在油浴中对DUT进行结校准，在液冷专用控温夹具上进行结-壳稳态热阻Rthjc测量和加热表征测量； 所述第二步中，最大电流限制线和最大功率限制线分为DC部分和脉冲部分； 所述第三步中，热不稳定性限制线的测量方法包括： 1把DUT安装到热失控测试电路并给DUT配置高效散热，将基准点温度统一设定为25℃使Tc保持在25℃不变；用电参数测试系统测量DUT的电参数并据此制定DUT的失效判据； 2用理想SOA曲线图所示的脉冲控制DUT的导通关断，监测漏-源电压Vds和漏极电流Id； 调节栅-源电压Vgs和漏-源电压Vds，使得每次施加的测试脉冲坐标点Vdst，Idt都在每条最大功率限制线的坐标范围之内，每次测试脉冲之后用电参数测试系统测量DUT的电参数并与失效判据进行比对，测量时DUT失效或符合失效判据的测试脉冲坐标点记为热不稳定性失效点Vdsi，Idi，其中，i为满足1＜i＜n的自然数，n热不稳定性失效点的数量； 3在理想SOA曲线图中绘制测得的所有热不稳定失效点Vdsi，Idi，通过每条脉冲对应的所有热不稳定性失效点Vdsi，Idi绘制最佳拟合直线，相应直线就是各脉冲的热不稳定性限制线； 所述步骤2中，直接使用脉宽为1000ms的脉冲电流测量器件DC电流的热不稳定性失效点； 所述步骤2中，测量失效点时，首先从漏-源击穿电压开始向左逐步减小至最大功率限制线的电压最小值，使流过漏极的测试脉冲电流的脉宽保持不变，而的幅度向最大功率限制线逐步逼近，直至DUT失效，记录该失效点。

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