睿创微电子(烟台)有限公司刘继伟获国家专利权
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龙图腾网获悉睿创微电子(烟台)有限公司申请的专利一种真空封装器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223060711U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421988169.8，技术领域涉及：B81C3/00；该实用新型一种真空封装器件是由刘继伟;赵阳;李松华;李同毅;李晓芝;胡汉林设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种真空封装器件在说明书摘要公布了：本申请涉及封装领域，公开了一种真空封装器件，包括：吸气剂层、互联层、吸气剂基底、MEMS结构、封装结构、具有贯穿厚度的通孔的器件晶圆；封装结构与器件晶圆的第一表面连接，并与器件晶圆形成第一腔体；MEMS结构位于器件晶圆的第一表面，且位于第一腔体中；互联层连接吸气剂基底的第一表面和器件晶圆的第二表面，在吸气剂基底和器件晶圆之间形成第二腔体；吸气剂层位于第二腔体中，且第二腔体中存在气体流动的空间；通孔连通第一腔体和第二腔体。吸气剂位于第二腔体中，可以避免MEMS结构的制备工艺对吸气剂造成影响，可以充分延长干法刻蚀时间使得牺牲层去除干净，同时还能保证吸气剂性能，提升器件的良率和使用寿命。
本实用新型一种真空封装器件在权利要求书中公布了：1.一种真空封装器件，其特征在于，包括： 吸气剂层（1）、互联层（2）、吸气剂基底（3）、MEMS结构（4）、封装结构（5）、具有贯穿厚度的通孔（6）的器件晶圆（7）； 所述封装结构（5）与所述器件晶圆（7）的第一表面连接，并与所述器件晶圆（7）形成第一腔体；所述MEMS结构（4）位于所述器件晶圆（7）的第一表面，且位于所述第一腔体中； 所述互联层（2）连接所述吸气剂基底（3）的第一表面和所述器件晶圆（7）的第二表面，在所述吸气剂基底（3）和所述器件晶圆（7）之间形成第二腔体；所述吸气剂层（1）位于所述第二腔体中，且所述第二腔体中存在气体流动的空间； 所述通孔（6）连通所述第一腔体和所述第二腔体。
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