成都氮矽科技有限公司;深圳氮芯科技有限公司刘勇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉成都氮矽科技有限公司;深圳氮芯科技有限公司申请的专利一种内置电流采样的GaN功率器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223066171U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422037341.8，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型一种内置电流采样的GaN功率器件结构是由刘勇;罗鹏;刘家才;朱仁强;秦尧设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种内置电流采样的GaN功率器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种内置电流采样的GaN功率器件结构，采用实用新型提供的结构，主要包括了干组栅极金属、源极金属、漏极金属和第一互连金属单元，第一互连金属单元分别与栅极金属、源极金属和漏极金属连。本方案提供的结构具有内置电流采样管，该采样管与功率管共用栅极和漏极，通过采样管与功率管的栅宽比等于采样管与功率的电流比，通过监控采用管的电流值即流经第七互连金属的电流值即可计算出功率管的电流值，从而在不引入采样电阻的情况下准确监控功率管的实时电流，可以有效避免引入采样电阻带来的功率损耗。此外，采样管与功率管完全相同的工作条件保证了采样管的采样精度。
本实用新型一种内置电流采样的GaN功率器件结构在权利要求书中公布了：1.一种内置电流采样的GaN功率器件结构，其特征在于，包括若干组栅极金属1、源极金属2和漏极金属3，所述源极金属2相邻两侧设置两个栅极金属1，所述漏极金属3设置于栅极金属1远离源极金属2的一侧，所述栅极金属1、源极金属2和漏极金属3上均设置有第一通孔4； 还包括第一互连金属单元，所述第一互连金属单元分别与所述栅极金属1、源极金属2和漏极金属3连接，所述第一互连金属单元上设置有第二通孔5。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都氮矽科技有限公司;深圳氮芯科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区天府五街168号5楼501室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号