昆明云锗高新技术有限公司李宝学获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明云锗高新技术有限公司申请的专利一种锗单晶生长用的除渣装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223061126U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422254632.2，技术领域涉及：C30B15/00；该实用新型一种锗单晶生长用的除渣装置是由李宝学;刘得伟;罗志刚;杨涛;林作亮;李健;段述慧设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锗单晶生长用的除渣装置在说明书摘要公布了：一种锗单晶生长用的除渣装置，包括炉体、导流筒、保温筒、浮渣容器、控制件和石墨坩埚，炉体包括主室和副室，副室设置在主室顶部，被悬吊的籽晶夹由上而下穿过副室进入主室；主室底部设置控制台、石墨坩埚和保温筒，保温筒顶部中央设置导流筒；主室上部一侧坡面上设置控制件，并连接伸入主室内的控制杆一端，在控制杆伸入主室的开口处设置密封圈，控制杆另一端悬吊浮渣容器；主室另一侧坡面上开设观察窗。该装置可以在长晶过程中去除去浮在熔体表面的渣，防止浮渣进入固液界面使生长中的锗晶体变晶；在单晶生长过程中，不用开启副室，避免了锗熔体被二次污染或氧化。
本实用新型一种锗单晶生长用的除渣装置在权利要求书中公布了：1.一种锗单晶生长用的除渣装置，其特征在于：包括炉体、导流筒、保温筒、浮渣容器、控制件和石墨坩埚，炉体包括主室和副室，主室为圆柱状，并设有向上逐渐缩小的炉盖，副室设置在炉盖顶部，副室侧面设有开合门，被悬吊的籽晶夹由上而下穿过副室进入主室；主室底部设置控制台，控制台内设置有升降机构和电源，升降机构上安装石墨坩埚，石墨坩埚外侧设置加热器并与控制台内的电源电连接，控制台和加热器外部套设保温筒，保温筒顶部中央设置导流筒；主室第炉盖一侧设置控制件，并连接伸入主室内的控制杆一端，在控制杆伸入主室的开口处设置密封圈，控制杆另一端悬吊浮渣容器；主室另一侧坡面上开设观察窗。
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