瑞峰半导体股份有限公司巫金轩获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞峰半导体股份有限公司申请的专利制作硅光子晶圆的晶圆凸块制程中的晶圆保护结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223065565U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422367406.5，技术领域涉及：G02B6/42；该实用新型制作硅光子晶圆的晶圆凸块制程中的晶圆保护结构是由巫金轩;苏靖凯;谭志祥;简宏棋设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本制作硅光子晶圆的晶圆凸块制程中的晶圆保护结构在说明书摘要公布了：一种制作硅光子晶圆的晶圆凸块制程中的晶圆保护结构，包括:一第一保护层覆盖于一硅光子晶圆基板的一第一表面上，硅光子晶圆基板包括一光导入槽和一铝垫分布于该第一表面上，该第一保护层暴露出该光导入槽和该铝垫的部分表面；一球下金属层设置在该第一保护层、该光导入槽和该铝垫上；一第二保护结构设置于该光导入槽上且接触部分该球下金属层；以及一图案化第一光阻层设置于该第一表面上，该图案化第一光阻层覆盖该第二保护结构并暴露出该铝垫上的部分该球下金属层。
本实用新型制作硅光子晶圆的晶圆凸块制程中的晶圆保护结构在权利要求书中公布了：1.一种制作硅光子晶圆的晶圆凸块制程中的晶圆保护结构，其特征在于，包括: 一第一保护层覆盖于一硅光子晶圆基板的一第一表面上，其特征在于，所述硅光子晶圆基板包括一光导入槽和一铝垫分布于所述第一表面上，所述第一保护层暴露出所述光导入槽和所述铝垫的部分表面； 一球下金属层设置在所述第一保护层、所述光导入槽和所述铝垫上； 一第二保护结构设置于所述光导入槽上且接触部分所述球下金属层；以及 一图案化第一光阻层设置于所述第一表面上，所述图案化第一光阻层覆盖所述第二保护结构并暴露出所述铝垫上的部分所述球下金属层。
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