常州华控新能科技有限公司贾雷获国家专利权
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龙图腾网获悉常州华控新能科技有限公司申请的专利一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223065438U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422379825.0，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路是由贾雷;冉勇;王蒙蒙;童飞设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路，属于检测电路技术领域，包括IGBT驱动芯片U、外部退饱和检测电路、IGBT和驱动电阻Rg，IGBT驱动芯片U和外部退饱和检测电路连接，IGBT驱动芯片U通过驱动电阻Rg与IGBT连接，IGBT与外部退饱和检测电路连接；所述外部的退饱和检测电路包括电容C2、三极管T1、电阻R3、比较器01、稳压管Z1、电容C1、电阻R1、电阻R2、二极管D1和二极管D2。通过上述方式，本方案不直接采用驱动芯片退饱和检测电路去进行IGBT集射极电压Vce检测，而是通过增加额外的电路进行检测，额外的电路可以将Vce退饱和判断电压设置为一个较高的值，相比较采用直接驱动芯片检测，具有更高的噪声容许值，抗干扰能力更强。
本实用新型一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路在权利要求书中公布了：1.一种具有强抗干扰能力的IGBT退饱和检测电路，其特征在于，包括IGBT驱动芯片（U）、外部退饱和检测电路、IGBT和驱动电阻（Rg），IGBT驱动芯片U和外部退饱和检测电路连接，IGBT驱动芯片U通过驱动电阻（Rg）与IGBT连接，IGBT与外部退饱和检测电路连接； 所述外部的退饱和检测电路包括电容（C2）、三极管（T1）、电阻（R3）、比较器（01）、稳压管（Z1）、电容（C1）、电阻（R1）、电阻（R2）、二极管（D1）和二极管（D2）。
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