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紫光闪芯科技(成都)有限公司东猛获国家专利权

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龙图腾网获悉紫光闪芯科技(成都)有限公司申请的专利SSD闪存块写错误的快速处理方法、装置及SSD设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119322589B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411417905.9,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权SSD闪存块写错误的快速处理方法、装置及SSD设备是由东猛;张婷婷;张新宇设计研发完成,并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

SSD闪存块写错误的快速处理方法、装置及SSD设备在说明书摘要公布了:本发明涉及数据存储技术领域,提供了一种SSD闪存块写错误的快速处理方法、装置及SSD设备,所述方法包括:在对第一RGBlock执行写操作时,根据第一RGBlock中每个Block的位置布局将待写入数据缓存到预设的第一缓存空间的缓存单元中;在将第一缓存空间中的待写入数据顺次写入第一RGBlock的第一RGPage时,若发生写错误,则获取发生写错误的位置信息;根据发生写错误的位置信息确定第一缓存空间中预存的待写入数据的数据迁移规则;将第一缓存空间中数据迁移后的待写入数据写入与第一RGPage相邻的第二RGPage中;若第一缓存空间中的待写入数据在第一缓存空间和预设的第二缓存空间之间迁移,将迁移到第二缓存空间中数据写入与第二RGPage相邻的第三RGPage中。

本发明授权SSD闪存块写错误的快速处理方法、装置及SSD设备在权利要求书中公布了:1.一种SSD写错误的快速处理方法,其特征在于,所述SSD的RGBlock由组成RGBlock的每个Die中的部分plane或全部plane分别选取一个好块组成,所述方法包括: 在对第一RGBlock执行写操作时,根据第一RGBlock中每个Block的位置布局将待写入数据缓存到预设的第一缓存空间的缓存单元中,使第一缓存空间中存储待写入数据的缓存单元的位置布局与目标RGBlock的Block的位置布局相同; 在将第一缓存空间中的待写入数据顺次写入第一RGBlock的第一RGPage时,若发生写错误,则获取发生写错误的位置信息,所述发生写错误的位置信息包括发生写错误的第一Block的位置信息和第一RGPage的位置信息;在获取发生写错误的位置信息之后,所述方法还包括:将第一Block标记为坏块,并剔除出第一RGBlock;将所述第一RGPage中的数据标记为无效数据,并保留第一RGBlock中已经写操作成功的各个RGPage中的数据; 根据发生写错误的位置信息确定第一缓存空间中预存的待写入数据的数据迁移规则,并根据所述数据迁移规则将第一缓存空间中的待写入数据在第一缓存空间内迁移,和或将第一缓存空间中的待写入数据在第一缓存空间和预设的第二缓存空间之间迁移; 将第一缓存空间中数据迁移后的待写入数据写入与第一RGPage相邻的第二RGPage中;若第一缓存空间中的待写入数据在第一缓存空间和预设的第二缓存空间之间迁移,将第一缓存空间中数据迁移后的待写入数据写入与第一RGPage相邻的第二RGPage中,并将迁移到第二缓存空间中的待写入数据写入与第二RGPage相邻的第三RGPage中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人紫光闪芯科技(成都)有限公司,其通讯地址为:610095 四川省成都市高新区府城大道西段505号1栋1单元21层2110号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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