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龙图腾网获悉江苏永鼎股份有限公司申请的专利一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118979302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411469613.X，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法是由路庆海;周莉;张金胜;潘静雯设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法，涉及晶圆外延生长技术领域，包括：以满足预期外延属性特征和预定外延生长周期为约束，进行反向模拟，确定外延生长控制参数；划分确定多个生长区间，根据预期外延属性特征对多个生长区间进行生长指标设置，获取多个预期生长指标；根据外延生长控制参数、多个生长区间和多个预期生长指标执行外延生长控制。通过本申请可以解决现有方法中存在由于无法在晶圆外延生长过程中，根据晶圆外延层的生长状态快速、准确调整生长控制参数，导致外延生长控制的精准性和均匀性较差，影响外延层生长质量的技术问题，可以提高外延层的生长质量，确保DFB激光器芯片性能的稳定性和一致性。

本发明授权一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法在权利要求书中公布了：1.一种用于DFB激光器芯片的外延控制方法，其特征在于，包括： 读取待加工晶圆的晶圆属性信息和DFB激光器芯片的预期性能指标，以满足所述预期性能指标为目的，根据所述晶圆属性信息分析获取外延层的预期外延属性特征； 获取预定外延生长周期，以满足所述预期外延属性特征和预定外延生长周期为约束，利用TACD仿真工具进行反向模拟，确定外延生长控制参数； 基于所述预定外延生长周期划分确定多个生长区间，根据所述预期外延属性特征对所述多个生长区间进行生长指标设置，获取多个预期生长指标； 根据所述外延生长控制参数、多个生长区间和多个预期生长指标执行所述待加工晶圆的外延生长控制； 其中，所述晶圆属性信息包括晶圆材料、晶圆晶格常数、表面粗糙度和晶圆厚度，所述预期性能指标包括波长、功率和调制速率； 获取外延层的预期外延属性特征，包括： 以所述晶圆属性信息为约束，以晶圆外延生长为引导，检索获取样本数据集，其中，样本数据包括样本性能指标和样本外延属性特征，所述样本外延属性特征包括材料组分、外延层厚度和晶体表面轮廓； 利用所述样本数据集对BP神经网络进行监督训练，获取属性分析器； 通过所述属性分析器对所述预期性能指标进行解析，输出所述预期外延属性特征； 其中，根据所述外延生长控制参数、多个生长区间和多个预期生长指标执行所述待加工晶圆的外延生长控制，包括： S1：选取第一生长区间和第二生长区间，以及第二生长区间的第二预期生长指标，其中，所述第一生长区间为所述多个生长区间中最先开始的生长区间，所述第二生长区间为所述第一生长区间的相邻生长区间； S2：根据所述外延生长控制参数，对所述待加工晶圆执行所述第一生长区间的外延生长，其中，外延生长控制参数包括生长温度、反应气体流量和反应气体比例； S3：利用反射高能电子衍射定点监测获取晶体生长数据集，其中，晶体生长数据集包括外延层厚度集和晶体表面轮廓集； S4：根据所述外延层厚度集和晶体表面轮廓集进行预定窗口内的晶体生长预测，获取第一生长区间结束节点的第一预测外延属性数据； S5：对所述第二预期生长指标和第一预测外延属性数据进行偏差计算，确定第二生长偏差； S6：以满足所述第二生长偏差和第二生长区间为约束，利用TACD仿真工具进行反向模拟，确定第二外延生长控制参数； S7：根据所述第二外延生长控制参数执行所述第二生长区间的外延生长控制； 根据所述第二外延生长控制参数执行所述第二生长区间的外延生长控制后，迭代循环S1至S7，直至完成所述预定外延生长周期； 其中，根据所述外延层厚度集和晶体表面轮廓集进行预定窗口内的晶体生长预测，包括： 根据所述外延层厚度集进行厚度生长趋势分析，确定厚度生长速率； 在所述外延层厚度集中选取末端外延层厚度，根据所述厚度生长速率和末端外延层厚度进行预定窗口内的晶体生长预测，获取第一预测外延层厚度； 根据所述晶体表面轮廓集进行轮廓变化趋势分析，确定轮廓变化特征； 在所述晶体表面轮廓集中选取末端表面轮廓，根据所述轮廓变化特征和末端表面轮廓进行预定窗口内的晶体生长预测，获取第一预测晶体表面轮廓； 基于所述第一预测外延层厚度和第一预测晶体表面轮廓得到所述第一预测外延属性数据； 将监测数据延迟、预测数据延迟和参数控制延迟之和作为所述预定窗口； 得到所述第一预测外延属性数据，包括： 利用TACD仿真工具，根据所述第一生长区间和外延生长控制参数进行所述待加工晶圆的生长模拟，得到第一模拟外延层厚度、第一模拟晶体表面轮廓和第一模拟材料组分； 对所述第一预测外延层厚度和第一模拟外延层厚度进行偏差计算，得到第一预测厚度差； 对所述第一预测晶体表面轮廓和第一模拟晶体表面轮廓进行偏差分析，确定第一预测轮廓偏差特征； 根据所述第一预测厚度差和第一预测轮廓偏差特征对所述第一模拟材料组分进行关联修正，得到第一预测材料组分； 将所述第一预测外延层厚度、第一预测晶体表面轮廓和第一预测材料组分设为所述第一预测外延属性数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏永鼎股份有限公司，其通讯地址为：215200 江苏省苏州市吴江区汾湖高新区国道路1788号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。