北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学陈燕宁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利测试结构、栅极线宽粗糙度测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772651.2，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权测试结构、栅极线宽粗糙度测试方法是由陈燕宁;刘芳;吴波;吕军军;陶然;吴永玉;邓永峰;章明瑞;罗宗兰设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构、栅极线宽粗糙度测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种测试结构、栅极线宽粗糙度测试方法。所述测试结构包括：测试有源区以及位于测试有源区上的测试栅极；所述测试有源区包括测试源极和测试漏极，测试源极和测试漏极分别位于所述测试栅极的两侧；测试栅极具有相对应的栅极设计图形，栅极设计图形沿第一方向延伸，栅极设计图形沿第二方向具有不同的宽度尺寸。本发明的测试结构的栅极设计图形具有不同的宽度尺寸，可以通过对栅极设计图形局部的宽度尺寸进行放缩处理，在保证测试栅极的整体平均线宽一定的前提下，单一变量的调整测试栅极的线宽粗糙度，为栅极的制造工艺提供依据。
本发明授权测试结构、栅极线宽粗糙度测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括：测试有源区以及位于测试有源区上的测试栅极； 所述测试有源区包括测试源极和测试漏极，测试源极和测试漏极分别位于所述测试栅极的两侧； 所述测试栅极具有相对应的栅极设计图形，所述栅极设计图形沿第一方向延伸，所述栅极设计图形沿第二方向具有不同的宽度尺寸； 所述栅极设计图形包括调整部，所述调整部包括多个凹陷部以及多个凸起部，每个凹陷部沿第二方向具有第一宽度尺寸，每个凸起部沿第二方向具有第二宽度尺寸。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学，其通讯地址为：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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