杭州芯迈半导体技术有限公司王宝柱获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利一种功率半导体器件版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411793170.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种功率半导体器件版图是由王宝柱;王加坤设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件版图在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率半导体器件，具有衬底层、外延层、阱区、源区和阱接触区。该外延层具有外延层上表面和外延层下表面，其中所述外延层下表面与衬底层相接。该阱区分布在外延层中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布。该源区分布在阱区中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布。该阱接触区分布在阱区之间的外延平台区中，侧壁与相邻阱区的侧壁相接。本申请将阱接触区分布在阱区间的外延平台区中，减小了功率半导体器件的尺寸，降低了功率半导体器件的导通电阻。
本发明授权一种功率半导体器件版图在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括： 衬底层； 外延层，具有外延层上表面和外延层下表面，其中所述外延层下表面与衬底层相接； 阱区，分布在外延层中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布，将靠近外延层上表面的外延层部分分隔成条状的外延平台区； 源区，分布在阱区中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布；以及 阱接触区，分布在阱区之间的外延平台区中，所述阱接触区的其中两个相对侧壁分别在第一方向上与外延平台区相接； 其中除阱接触区外的外延平台区的其他区域上覆盖有栅氧层和栅电极层。
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