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龙图腾网获悉江苏长电科技股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510152967.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由杨程设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装领域，提供一种半导体封装结构及其形成方法，该方法包括提供玻璃基板，玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构；采用半导体前段制程中的BEOL工艺在玻璃基板的上表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一互连结构，形成的第一互连结构的密度大于后续在玻璃基板下表面形成的第二互连结构的密度，第一互连结构的特征尺寸小于后续形成的第二互连结构的特征尺寸；采用半导体后段制程中的RDL工艺在玻璃基板下表面形成有机钝化层和位于有机钝化层中的第二互连结构；在无机介质层的上表面贴装至少一个第一半导体芯片。该方法提高了玻璃基板上表面的第一互连结构的布线密度。

本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供玻璃基板，所述玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构，所述玻璃基板的上表面和下表面分别露出所述玻璃通孔互连结构的上端表面和下端表面； 在所述玻璃基板的上表面形成无机介质层和位于所述无机介质层中的第一互连结构和第三互连结构，所述第一互连结构与所述玻璃通孔互连结构的上端表面电连接，且所述无机介质层和所述第一互连结构、第三互连结构采用半导体前段制程中的BEOL工艺制作，所述形成的第一互连结构的密度大于后续在所述玻璃基板下表面形成的第二互连结构的密度，所述第一互连结构的特征尺寸小于后续形成的第二互连结构的特征尺寸；所述无机介质层包括位于玻璃基板上表面的第一无机介质层和位于所述第一无机介质层上表面的第二无机介质层，所述第一互连结构包括位于所述第一无机介质层中的第一子互连结构和位于所述第二无机介质层中且与所述第一子互连结构电连接的第二子互连结构，所述第三互连结构位于所述第二无机介质层中；所述第一无机介质层埋入有未内部布线的半导体芯片，所述未内部布线的半导体芯片包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上表面的器件层，所述器件层中具有半导体器件；所述第三互连结构的密度大于或等于所述第一互连结构的密度，所述第三互连结构与所述未内部布线的半导体芯片的器件层中的半导体器件电连接，且部分所述第三互连结构还与部分所述第一互连结构电连接，所述未内部布线的半导体芯片、和所述第三互连结构以及部分所述第二无机介质层构成第二半导体芯片； 在所述玻璃基板下表面形成有机钝化层和位于所述有机钝化层中的第二互连结构，所述第二互连结构与所述玻璃通孔互连结构的下端表面电连接，且所述有机钝化层和所述第二互连结构采用半导体后段制程中的RDL工艺制作； 在所述无机介质层的上表面贴装至少一个第一半导体芯片，所述第一半导体芯片与所述第一互连结构电连接。

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