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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698091B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510195903.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器是由陈维邦设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器，涉及半导体制造技术领域。该半导体结构包括：基底和形成于基底表面的光电功能层；光电功能层包括光电感应层和用于将光电感应层分隔为多个光电感应区的隔离结构；光电感应区包括多个层叠设置的光电感应材料层和沿光电感应层的法线方向延伸的跨层掺杂结构；跨层掺杂结构与光电感应层掺杂类型相同；其中，跨层掺杂结构通过离子注入工艺形成；以光电感应层的法线方向为离子注入的深度方向和光电感应材料层的厚度方向，沿光电感应层的法线方向，形成跨层掺杂结构的离子注入深度至少大于与基底距离最远的光电感应材料层的厚度。通过本申请实施例，提升了图像传感器的成像质量。

本发明授权半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底； 在所述基底表面形成光电功能层；所述光电功能层用于基于光电效应实现光电信号转换；所述光电功能层包括光电感应层和用于将所述光电感应层分隔为多个光电感应区的隔离结构；所述光电感应区包括四个层叠设置的光电感应材料层和沿所述光电感应层的法线方向延伸的跨层掺杂结构；所述跨层掺杂结构的掺杂类型与所述光电感应层的掺杂类型相同； 其中，所述半导体结构还包括形成于所述隔离结构远离所述基底的一侧的目标格栅结构；在所述基底上制备光电功能层的步骤，包括：在所述基底上形成多个所述光电感应区和所述隔离结构；在所述光电感应区远离所述基底的一侧形成过渡格栅结构，并在所述隔离结构远离所述基底的一侧形成目标格栅结构；其中，所述过渡格栅结构和所述目标格栅结构交替间隔分布；以所述过渡格栅结构和所述目标格栅结构为掩膜，利用离子注入工艺在所述光电感应区内形成所述跨层掺杂结构；去除所述过渡格栅结构； 其中，以所述光电感应层的法线方向为离子注入的深度方向和所述光电感应材料层的厚度方向，沿所述光电感应层的法线方向，形成所述跨层掺杂结构的离子注入深度大于所述四个光电感应材料层中除与所述基底距离最近的光电感应材料层外其余光电感应材料层的厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。