深圳市研通高频技术股份有限公司阎跃军获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市研通高频技术股份有限公司申请的专利温度可变衰减器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510192527.7，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权温度可变衰减器及电子设备是由阎跃军;彭志珊设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本温度可变衰减器及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种温度可变衰减器及电子设备，其中，温度可变衰减器主要使用两个电阻构成，相比三个以上电阻构成的器件，有更宽的工作频率范围，且体积更小，更有利于产品的小型化；另外，可以通过两个信号电极准确测量和调试第一电阻，通过信号电极和地电极准确测量和调试第二电阻，如此，可以提高温度可变衰减器的精度。
本发明授权温度可变衰减器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种温度可变衰减器，其特征在于，包括基体、电阻组件、两个信号电极和地电极；所述电阻组件仅包括第一电阻和第二电阻； 所述第一电阻、所述第二电阻、两个所述信号电极和所述地电极固定在所述基体的第一表面，所述第一电阻连接在两个所述信号电极之间，所述第二电阻直接连接在其中一个所述信号电极与所述地电极之间，所述第二电阻未与另一个所述信号电极直接连接，任一所述信号电极与所述地电极不存在除所述第一电阻和所述第二电阻以外的其它电阻，所述第一电阻和所述第二电阻中至少一个为热敏电阻； 所述地电极包括： 第一部分，所述第一部分设置于所述基体的第一表面，与所述第二电阻连接； 第二部分，所述第二部分由所述第一部分延伸而形成于所述基体的与所述第一部分相邻的第一侧面； 第三部分，所述第三部分由所述第二部分延伸而形成于所述基体的与所述第一表面相对的第二表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市研通高频技术股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区西丽文苑路35号聚创金谷创意园A栋3楼308-322号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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