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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510201145.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属层，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移区；离子注入，形成均流层、第一漂移层、第二漂移层、第二P型阱区、肖特基区、凸起部、第一P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，提高体二极管续流能力，降低体二极管损耗，提高器件可靠性。

本发明授权一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成JBS的平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属层，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长形成漂移区； 步骤2、通过对漂移区进行离子注入，形成均流层、第一漂移层以及第二漂移层； 步骤3、在第二漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二漂移层进行离子注入，形成第二P型阱区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二漂移层进行离子注入，形成肖特基区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二漂移层进行离子注入，形成凸起部； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二漂移层进行离子注入，形成第一P型阱区； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第一P型阱区进行离子注入，形成N型源区； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成绝缘介质层； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 所述肖特基区的厚度小于所述第二P型阱区的厚度，所述第二漂移层上设有多个凹槽，所述第二P型阱区下部设于所述凹槽内。

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