安徽长飞先进半导体股份有限公司谢柳获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510221165.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由谢柳;康婷;史田超设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件包括半导体本体、沟道层、栅极结构、源极和漏极。沟道层设置于第一表面上，且与半导体本体内的阱区电接触，沟道层包括二维半导体材料，材料的带隙范围为0.28eV~4.0eV，电子迁移率大于或等于100cm2Vs。栅极结构设置于沟道层的远离半导体本体的一侧。源极至少部分设置于第一表面上，且与沟道层电接触。漏极设置于第二表面上。本申请中沟道层不受晶格匹配限制、无需经过高温处理工艺，源极与沟道层直接电接触形成欧姆接触、无需形成重掺杂区域，器件具有较高的迁移率并且结构更为简单，有利于简化生产工艺、提高器件质量，实现降本增效的目标。
本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，被设置为第一导电类型，包括相对的第一表面和第二表面；所述半导体本体还包括被设置为第二导电类型的阱区，所述阱区设置于所述第一表面； 沟道层，设置于所述第一表面上，且与所述阱区电接触；所述沟道层包括二维半导体材料，材料的带隙范围为0.28eV~4.0eV，电子迁移率大于或等于100cm2Vs； 栅极结构，设置于所述沟道层的远离所述半导体本体的一侧； 源极，至少部分设置于所述第一表面上，另一部分设置于所述沟道层与所述栅极结构之间，所述源极与所述沟道层电接触； 漏极，设置于所述第二表面上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽长飞先进半导体股份有限公司，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区马塘街道利民东路82号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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