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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510308325.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成低阻区以及第一凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一阱区以及第二凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区及P型阱区；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀，并淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，去除阻挡层，完成制备；解决了沟槽栅的栅极可靠性问题，且不需引出额外的电极，提高了体二极管的续流能力，降低器件导通电阻。

本发明授权一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成低阻区以及第一凸起部； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第一阱区以及第二凸起部； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第一阱区进行离子注入，形成P型源区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第二阱区，P型阱区包括第一阱区以及第二阱区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二阱区进行离子注入，形成N型源区； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀第一阱区以及漂移层，之后氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并淀积金属，形成栅极金属层； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀P型源区，之后淀积金属，形成第一源极金属区； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀P型阱区以及N型源区，之后淀积金属，形成第二源极金属区，源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区，去除阻挡层，完成制备； 所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有第一凸起部，所述第一凸起部上设有第二凸起部，所述第二凸起部上设有凹槽； 所述低阻区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述低阻区内侧面连接至所述第一凸起部外侧面； 所述P型阱区连接至所述低阻区上侧面、漂移层上侧面、第一凸起部上侧面、第二凸起部外侧面以及第二凸起部上侧面；所述P型阱区上设有N型源区； 所述P型源区连接至所述P型阱区； 所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型阱区以及N型源区；所述绝缘介质层内设有沟槽； 所述栅极金属层设于所述沟槽内； 所述源极金属层分别连接所述P型源区、P型阱区以及N型源区。

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