杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510347406.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，所述MOS元胞包括有源极、栅极、栅氧化层、半导体外延层以及漏极，其中半导体外延层内部通过离子注入形成有N衬底层、N漂移层、P+层、P阱层以及N阱层，单个所述MOS元胞内漏极的中间区域还包括有放电尖端；其中N衬底层的截面形状与放电尖端的形状相契合。本发明通过放电尖端可以帮助引导电流更加均匀地流过沟道，减少局部电流密度过高的问题，并且由于放电尖端能够更好地管理热量，减少了局部热点的形成，降低了热失控的风险，提高了器件的长期稳定性。
本发明授权一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种背面钉状电极的碳化硅MOSFET结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，所述MOS元胞包括有源极1、栅极3、栅氧化层2、半导体外延层以及漏极7，其中半导体外延层内部通过离子注入形成有N衬底层8、N漂移层9、P+层4、P阱层5以及N阱层6，其特征在于：单个所述MOS元胞内漏极7的中间区域还包括有放电尖端71； 其中N衬底层8的截面形状与放电尖端71的形状相契合。
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