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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510347753.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成第一漂移区；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成柱区；去除阻挡层，在第一漂移区上外延生长，形成第二漂移区，漂移层包括第一漂移区以及第二漂移区；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一P型阱区、凸起部、第二P型阱区、N型源区及肖特基区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅极介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，在反向耐压时能提供双重保护，从而提高器件的可靠性。

本发明授权一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半超结高可靠平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成第一漂移区； 步骤2、在第一漂移区上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成柱区； 步骤3、去除阻挡层，在第一漂移区上外延生长，形成第二漂移区，漂移层包括第一漂移区以及第二漂移区； 步骤4、在第二漂移区上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二漂移区进行离子注入，形成第一P型阱区以及凸起部； 步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第一P型阱区进行离子注入，形成第二P型阱区； 步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二P型阱区进行离子注入，形成N型源区； 步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二漂移区进行离子注入，形成肖特基区； 步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成栅极介质层； 步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层； 步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 第二P型阱区包裹第一P型阱区，N型源区远离栅极金属层一侧且下方为第二P型阱区、靠近栅极金属层一侧为第一P型阱区，N型源区与栅极金属层在横向上有交叠。

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