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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907249B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510389642.3，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管及其制备方法是由张海忠;叶郑洁;许晓锐;叶树瑞设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管及其制备方法，包括衬底、N型氧化镓外延层、第一P型氧化镍层、第二P型氧化镍层、介质层、N型氧化镓重掺杂区、阴极金属层、阳极金属层。第一P型氧化镍层与N型氧化镓外延层形成PN结，通过纵向耗尽辅助横向耗尽，提高耐压的同时，外延层载流子浓度能适当增大，使导通电阻降低。第二P型氧化镍层与阳极金属层短接，一方面增大整体P型氧化镍与N型氧化镓的电势差，增强纵向耗尽的辅助作用，均衡表面电场；另一方面，第二P型氧化镍层的空穴浓度高于第一P型氧化镍层，更利于缓解阳极边缘电场集中。因此，该器件可以实现更低的导通电阻，承受更高的反向击穿电压。

本发明授权一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种利用双层P型氧化镍实现的高耐压氧化镓横向肖特基势垒二极管，其特征在于，包括层叠设置的衬底（1）、N型氧化镓外延层（2）、第一P型氧化镍层（3）、第二P型氧化镍层（4）、介质层（5）、N型氧化镓重掺杂区（6）、阴极金属层（7）、阳极金属层（8）； 所述层叠设置的衬底（1）与N型氧化镓外延层（2）从下至上依次层叠设置；所述的第一P型氧化镍层（3）嵌入所述N型氧化镓外延层（2）的顶部设置；所述的第二P型氧化镍层（4）沉积在N型氧化镓外延层（2）的顶部，所述的第二P型氧化镍层（4）的右侧与阳极金属层（8）短接，所述的第二P型氧化镍层（4）的下表面与第一P型氧化镍层（3）的上表面部分接触，形成双层P型氧化镍结构；所述的介质层（5）覆盖在第二P型氧化镍层（4）、部分第一P型氧化镍层（3）以及部分N型氧化镓外延层（2）的上表面；所述的N型氧化镓重掺杂区（6）的上表面与阴极金属层（7）接触，所述的N型氧化镓重掺杂区（6）的下表面与N型氧化镓外延层（2）的上表面接触，N型氧化镓外延层（2）其余区域为低掺杂；所述的阴极金属层（7）右侧与介质层（5）接触；所述的阳极金属层（8）的左侧与第二P型氧化镍层（4）和介质层（5）接触； 所述的N型氧化镓外延层（2）厚度为0.2~1.2μm，电子浓度为1016~5.0×1017cm-3，所述N型氧化镓重掺杂区（6）电子浓度为1018~1020cm-3； 所述的第一P型氧化镍层（3）厚度为0.02~0.4μm，空穴浓度为1017~1019cm-3，与阴极金属层间距为1~5μm，与阳极金属层间距为0.1~3μm； 所述的第二P型氧化镍层（4）厚度为0.02~0.4μm，空穴浓度为1017~1020cm-3，且高于第一P型氧化镍层（3），与阴极金属层间距为3~8μm。

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