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龙图腾网获悉英利能源发展有限公司申请的专利N型TOPCon电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119923017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510405295.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权N型TOPCon电池的制备方法是由于波;马红娜;王红芳;王子谦;潘明翠;赵学玲;郎芳;翟金叶;孟庆超;史金超;闫美楠;尹丽丽;李永康设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本N型TOPCon电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种N型TOPCon电池的制备方法，包括S100、在硅片形成绒面结构；S200、在硅片形成PN结；S300、在硅片生长隧穿氧化层和poly‑si层；S400、在硅片进行磷扩散，然后进行清洗；S500、对硅片进行划片并裂片，得到多个硅片切片；S600、在硅片切片的正面和切割面进行氧化铝沉积；S700、在硅片切片的正面和切割面进行氮化硅沉积；S800、在硅片切片的背面和切割面进行氮化硅沉积；S900、对硅片切片进行金属化处理。本发明提供的N型TOPCon电池的制备方法，旨在解决现有技术中切片后需要采用高精度钝化设备对切割面钝化处理，造成生产成本增加的问题。

本发明授权N型TOPCon电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括： S100、通过化学腐蚀或激光制绒的方法，在硅片的正面和背面分别形成绒面结构，增加光的吸收效率； S200、采用硼扩散工艺在所述硅片的正面形成PN结，然后对所述硅片的正面和背面进行清洗； S300、在所述硅片的背面生长隧穿氧化层和poly-si层； S400、在所述硅片形成隧穿氧化层和poly-si层的一面进行磷扩散，然后对所述硅片进行清洗； S500、对所述硅片进行划片并裂片，得到多个硅片切片； S600、在所述硅片切片的正面和切割面分别进行氧化铝沉积； S700、在所述硅片切片的正面和切割面分别进行氮化硅沉积； S800、在所述硅片切片的背面和切割面分别进行氮化硅沉积； S900、对所述硅片切片进行金属化处理； S600具体包括： S610、在所述硅片切片的正面和切割面均沉积氧化硅，形成氧化硅层； S620、在所述硅片切片的氧化硅层上沉积氧化铝，使所述硅片切片的正面和切割面分别形成第一氧化铝层。

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