恭喜河北同光半导体股份有限公司闫兰获国家专利权
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龙图腾网恭喜河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429086.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留的清洗方法是由闫兰;郑向光;高彦静;汤欢;张晓云设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留的清洗方法。本发明首先采用水气二流体喷射对碳化硅进行清洗，利用高速水流和气流的冲击力迅速剥离并带走衬底表面松散的金属离子及杂质颗粒；然后，采用氨水溶液对碳化硅进行流体清洗，氨水溶液可促进固体颗粒脱离碳化硅衬底表面；氨水溶液清洗后，毛刷配合超纯水喷淋，有效清除碳化硅表面的顽固污渍和微小颗粒；再采用含臭氧的氢氟酸溶液对碳化硅进行清洗，该溶液可促进金属离子的溶解，去除难以清除的金属杂质；最后采用氢氟酸溶液进行深度清洗，刻蚀掉被臭氧氧化和氧化层中嵌入的金属杂质，确保难以清除的金属杂质被彻底洗脱。
本发明授权一种去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种去除大尺寸碳化硅衬底表面金属离子残留的清洗方法，其特征在于，所述碳化硅衬底为经化学机械抛光、去蜡清洗和RCA清洗后的碳化硅衬底，所述清洗方法包括以下步骤： S1，采用水气二流体对旋转的待清洗碳化硅衬底进行喷射清洗，得到碳化硅衬底Ι； S2，采用氨水溶液对旋转的碳化硅衬底Ι进行冲洗，得碳化硅衬底Ⅱ； S3，采用毛刷对旋转的碳化硅衬底Ⅱ进行刷洗，刷洗的同时采用超纯水进行喷淋，得碳化硅衬底Ⅲ； S4，采用含臭氧的氢氟酸溶液对旋转的碳化硅衬底Ⅲ进行冲洗，得碳化硅衬底Ⅳ； S5，依次采用氢氟酸溶液和超纯水对旋转的碳化硅衬底Ⅳ进行冲洗，高速旋转干燥，得洁净碳化硅衬底。
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