北京麦竹吉科技有限公司陶莹获国家专利权
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龙图腾网获悉北京麦竹吉科技有限公司申请的专利一种用于碳化硅晶体生长的多孔材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119977578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510463346.3，技术领域涉及：C04B35/56；该发明授权一种用于碳化硅晶体生长的多孔材料及其制备方法是由陶莹设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于碳化硅晶体生长的多孔材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了碳化硅晶体生长领域的一种用于碳化硅晶体生长的多孔材料及其制备方法，本发明通过三聚氰胺和三聚氯氰为聚合物单体制备含氮的聚合物，采用氯化钽作为掺杂剂，使钽元素能够在聚合物网络均匀分布，经过烧结后，形成TaCTaN掺杂的多孔材料，钽的掺杂和TaNTaC的生成可以促进碳化硅晶粒的均匀分布，防止大晶粒的形成，进而获得粒度较细、均匀的碳化硅晶体，由于钽化物的稳定性，它们能够在高温下有效地促进碳化硅晶体的形态控制（如控制晶体的长宽比）。
本发明授权一种用于碳化硅晶体生长的多孔材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅晶体生长的多孔材料的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤： S1、将三聚氰胺溶解于DMF无水乙醇溶液中，加热搅拌至溶解后，在流动氮气氛围下，按照三聚氰胺与三聚氯氰之间的质量比为1.5-2.5:2，加入三聚氯氰溶液，持续搅拌使反应体系混合均匀后，升高反应温度至50-80℃，搅拌反应6-12h后，加入碳酸钠作为缚酸剂，反应结束后，洗涤、抽滤、干燥后得到含氮聚合物； S2、将步骤S1所制备的含氮聚合物溶解于DMF无水乙醇溶液中，通入流动氮气，按照氯化钽的添加质量为含氮聚合物质量的1%-5%，缓慢加入氯化钽无水乙醇溶液，搅拌均匀后，升高反应温度至40-60℃，搅拌反应3-5h后，减压蒸馏，洗涤、干燥后，得到钽掺杂聚合物； S3、将步骤S2所制备的钽掺杂聚合物转移至高温反应釜中，在氮气氛围下，升高反应温度至300-400℃进行预烧结处理，保持1-2h后，继续升高温度至1000-1400℃，保持温度烧结8-12h后，自然冷却至室温后，得到多孔材料。
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