长鑫科技集团股份有限公司曹堪宇获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510472431.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由曹堪宇;郑玉宏;蒋懿;冯道欢;马迪;吴楠设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：在衬底上形成堆叠膜层，堆叠膜层包括多个第一半导体层和保护层，多个第一半导体层沿第一方向延伸并沿第二方向间隔分布，且沿第二方向相邻的两个第一半导体层之间具有间隙，第二方向与第一方向相交；堆叠膜层具有沟槽，沟槽沿第二方向贯穿各第一半导体层；沟槽中暴露出的各第一半导体层的端面上分别形成有保护层；对第一半导体层进行蚀刻，以减薄第一半导体层的厚度；保护层的蚀刻速率小于第一半导体层的蚀刻速率。本公开的形成方法可在不增加第一半导体层的层数的情况下提高存储密度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成堆叠膜层，所述堆叠膜层包括多个第一半导体层和保护层，多个所述第一半导体层沿第一方向延伸并沿第二方向间隔分布，且沿所述第二方向相邻的两个所述第一半导体层之间具有间隙，所述第二方向与所述第一方向相交；所述堆叠膜层具有沟槽，所述沟槽沿所述第二方向贯穿各所述第一半导体层；所述沟槽中暴露出的各所述第一半导体层的端面上分别形成有所述保护层； 对所述第一半导体层进行蚀刻，以减薄所述第一半导体层的厚度；所述保护层的蚀刻速率小于所述第一半导体层的蚀刻速率。
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