苏州大学张晓宏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种透明晶硅太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119997658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510484396.X,技术领域涉及:H10F71/00;该发明授权一种透明晶硅太阳能电池及其制备方法是由张晓宏;张丙昌;姜兴善设计研发完成,并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种透明晶硅太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种透明晶硅太阳能电池及其制备方法,涉及光电转换技术领域。制备方法基于半电池制备,半电池包括晶硅片和位于晶硅片一侧的正电极,制备方法包括如下步骤:利用反应离子刻蚀工艺对晶硅片进行反向微孔刻蚀,以形成包括多个微孔的微孔电池;对微孔电池进行预处理,以在微孔电池一侧形成包覆于正电极的保护层;对微孔电池依次进行酸处理、氧化硅层沉积、有机分子化学修饰和氧化镁沉积,以在微孔电池的微孔的侧壁上依次形成氧化硅钝化层、有机分子修饰层和氧化镁钝化层;在微孔电池远离正电极的一侧沉积背电极,制备获得透明晶硅太阳能电池。本发明制备的透明晶硅太阳能电池具有较高的光电转换效率、光线透过率和制备效率。
本发明授权一种透明晶硅太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种透明晶硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法基于半电池制备,所述半电池包括晶硅片和位于所述晶硅片一侧的正电极,所述制备方法包括如下步骤: 利用反应离子刻蚀工艺对已制备所述正电极的所述半电池中的所述晶硅片进行反向微孔刻蚀,以形成包括多个微孔的微孔电池; 对所述微孔电池进行预处理,以在所述微孔电池一侧形成包覆于所述正电极的保护层; 对所述微孔电池依次进行酸处理、氧化硅层沉积、有机分子化学修饰和氧化镁沉积,以在所述微孔电池的所述微孔的侧壁上依次形成氧化硅钝化层、有机化学修饰层和氧化镁钝化层; 在所述微孔电池远离所述正电极的一侧沉积背电极,并去除所述保护层,制备获得透明晶硅太阳能电池;其中,所述氧化硅层沉积时臭氧浓度为10ppm-100ppm中任一值,反应气氛的体积分数为90%-95%中任一值,反应气氛的流量为0.2Lmin-1.0Lmin中任一值,所述氧化镁沉积时的蒸发速率为 中任一值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州大学,其通讯地址为:215299 江苏省苏州市吴江区久泳西路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。