苏州工学院余磊获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州工学院申请的专利一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119977332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510483075.8，技术领域涉及：C03C8/00；该发明授权一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法是由余磊;史梦飞;李敏晨;董子杰;李翊;赵俊锋;殷仕龙;李飞龙设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环境友好型锡锑‑稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法，其特征在于，包括化学式为SnxAyO2·nSbO的主相，质量百分比≥98%，其余为杂相；其中n=0.20‑0.40，4x+3y=4，0.1≤y≤0.2，A为+3价稀土元素；所述杂相为硼、硅、铋、钴、锶、钙、铁中的一种或多种元素的氧化物。本方案具有制备工艺简单，整个制备过程最高温度仅在1000℃左右，固化温度更是仅有800℃左右，制得的环境友好型锡锑‑稀土复合半导体釉料具有较好的电学性能、耐冷热性能和弯曲强度。
本发明授权一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法在权利要求书中公布了：1.一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料，其特征在于，包括化学式为SnxAyO2·nSbO的主相，质量百分比≥98%，其余为杂相；其中n=0.20-0.40，4x+3y=4，0.1≤y≤0.2，A为+3价稀土元素；所述杂相为硼、硅、铋、钴、锶、钙、铁中的一种或多种元素的氧化物； 所述环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料通过以下步骤制得： 步骤（1）：按化学式配比，将稀土氧化物和氧化锡溶解于盐酸中，随后调节pH至8-10，过滤得共沉淀物，共沉淀物用碳铵水清洗后脱水，烘干后加入硼酸或硼酸盐，在900-1000℃条件下预烧，粉碎得预烧料粉末； 步骤（2）：按化学式配比，将预烧料粉末，氧化锑粉末与添加剂粉末混合，干磨15-30min，在750-850℃条件下烧结，粉碎得环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料。
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