苏州工学院余磊获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州工学院申请的专利一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119977332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510483075.8,技术领域涉及:C03C8/00;该发明授权一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法是由余磊;史梦飞;李敏晨;董子杰;李翊;赵俊锋;殷仕龙;李飞龙设计研发完成,并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种环境友好型锡锑‑稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法,其特征在于,包括化学式为SnxAyO2·nSbO的主相,质量百分比≥98%,其余为杂相;其中n=0.20‑0.40,4x+3y=4,0.1≤y≤0.2,A为+3价稀土元素;所述杂相为硼、硅、铋、钴、锶、钙、铁中的一种或多种元素的氧化物。本方案具有制备工艺简单,整个制备过程最高温度仅在1000℃左右,固化温度更是仅有800℃左右,制得的环境友好型锡锑‑稀土复合半导体釉料具有较好的电学性能、耐冷热性能和弯曲强度。
本发明授权一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料及其无铅低温固化方法在权利要求书中公布了:1.一种环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料,其特征在于,包括化学式为SnxAyO2·nSbO的主相,质量百分比≥98%,其余为杂相;其中n=0.20-0.40,4x+3y=4,0.1≤y≤0.2,A为+3价稀土元素;所述杂相为硼、硅、铋、钴、锶、钙、铁中的一种或多种元素的氧化物; 所述环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料通过以下步骤制得: 步骤(1):按化学式配比,将稀土氧化物和氧化锡溶解于盐酸中,随后调节pH至8-10,过滤得共沉淀物,共沉淀物用碳铵水清洗后脱水,烘干后加入硼酸或硼酸盐,在900-1000℃条件下预烧,粉碎得预烧料粉末; 步骤(2):按化学式配比,将预烧料粉末,氧化锑粉末与添加剂粉末混合,干磨15-30min,在750-850℃条件下烧结,粉碎得环境友好型锡锑-稀土复合半导体釉料。
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