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龙图腾网获悉杭州长光辰芯微电子有限公司申请的专利一种线阵图像传感器像素结构及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510491053.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种线阵图像传感器像素结构及传感器是由戈晓靓;阿萨夫·拉哈夫设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种线阵图像传感器像素结构及传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，具体提供一种线阵图像传感器像素结构及传感器，像素结构包括一个具有多级钳位电压的部分钳位光电二极管和一个高电阻多晶硅传输栅，通过加工工艺使部分钳位光电二极管在耗尽时形成多级梯度钳位电压，而形成纵向电势差与均匀电场，帮助电荷在纵向从上下两侧快速转移至传输栅附近；再通过多晶硅传输栅两端施加不同电压，此多晶硅传输栅上形成横向栅压差，使埋沟道在耗尽时形成由输出端的远端至输出端递增的电势分布。本发明的线扫图像传感器像素结构，实现了光生电荷在大尺寸光电二极管内的快速转移，在像素纵向与横向尺寸较大的情况下，仍能有效加速电子的传输，显著减少读出时间，避免了拖尾现象。

本发明授权一种线阵图像传感器像素结构及传感器在权利要求书中公布了：1.一种线阵图像传感器像素结构，其特征在于，包括：部分钳位光电二极管、设于所述部分钳位光电二极管表面的多晶硅传输栅，以及设于所述多晶硅传输栅下方的埋沟道； 其中，所述部分钳位光电二极管在耗尽时形成多级梯度钳位电压，用于将电荷纵向转移至所述多晶硅传输栅下方对应的所述埋沟道； 所述多晶硅传输栅横向为远离所述部分钳位光电二极管输出端的M端和靠近所述部分钳位光电二极管输出端的N端，所述N端和所述M端用于施加电压； 当所述N端施加电压大于所述M端时，所述多晶硅传输栅上形成沿横向均匀分布的栅压；所述栅压使所述埋沟道在耗尽时形成由所述输出端的远端至所述输出端递增的电势分布； 包括非钳位态模式和钳位态模式，其中： 在非钳位态模式下，在电子快门打开时，所述M端施加低电压，所述N端施加高电压，通过所述埋沟道在耗尽时形成由所述输出端的远端至所述输出端递增的钳制电压差促进电荷沿所述多晶硅传输栅向所述输出端飘移； 在钳位态模式下，在电子快门打开时，所述M端和所述N端同时施加低电压，用于抑制暗电流；在电子快门关闭的时刻，所述M端施加低电压，所述N端施加高电压，通过所述埋沟道在耗尽时形成由所述输出端的远端至所述输出端递增的钳制电压差促进电荷沿所述多晶硅传输栅向所述输出端飘移。

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