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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006373B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510495047.8，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法是由李早阳;史睿菁;杨垚;徐星宇;祁冲冲;王君岚;罗金平;刘立军设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，其中，本发明实施例所提供的熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，先基于反映晶体生长炉内部件屏蔽作用强弱的屏蔽因子对晶体生长炉模型进行简化，再基于该简化后的晶体生长炉模型调整电流频率，能够更简便地确定出洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线，进而可以基于该关系曲线结合实际的晶体生长炉的炉壁间隙施加使得熔体中洛伦兹力达到最大值的目标电流频率，从而实现产生同等大小的洛伦兹力所需的通入电流较小，达到控制熔体流动及节能降耗的目的。

本发明授权一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法在权利要求书中公布了：1.一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，其特征在于，包括： 根据晶体生长炉内各部件的屏蔽因子，简化晶体生长炉对应的晶体生长炉模型； 基于简化后的所述晶体生长炉模型，根据炉壁参数、部件参数及熔体参数，确定洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线； 根据所述关系曲线及晶体生长炉的炉壁间隙，确定目标电流频率，并按所述目标电流频率在晶体生长炉外侧施加行波磁场，使得熔体中洛伦兹力达到最大值； 根据晶体生长炉内各部件的屏蔽因子，简化熔体法晶体生长炉模型，包括： 在第一部件的屏蔽因子小于第一阈值的情况下，在熔体法晶体生长炉模型中舍去所述第一部件； 在第二部件的屏蔽因子大于等于第一阈值的情况下，在熔体法晶体生长炉模型中加入所述第二部件； 根据晶体生长炉内各部件的屏蔽因子，简化熔体法晶体生长炉模型之前，还包括： 针对所述晶体生长炉内各部件中任一第三部件，根据无屏蔽作用时行波磁场对熔体产生的第一洛伦兹力、所述第三部件单独存在时行波磁场对熔体产生的第二洛伦兹力以及炉壁单独存在时行波磁场对熔体产生的第三洛伦兹力，按以下式（1）确定所述第三部件的屏蔽因子： （1） 其中，S代表屏蔽因子，FLn代表无屏蔽作用时行波磁场对熔体产生的第一洛伦兹力，FLb代表第三部件单独屏蔽时行波磁场对熔体产生的第二洛伦兹力，FLw代表炉壁单独屏蔽时行波磁场对熔体产生的第三洛伦兹力； 基于简化后的所述晶体生长炉模型，根据炉壁参数、部件参数及熔体参数，确定洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线，包括： 在炉壁的不同炉壁间隙下，保持电流强度不变并调整电流频率，获得不同炉壁间隙、不同频率下洛伦兹力； 对不同炉壁间隙、不同电流频率下洛伦兹力数据进行归一化处理，拟合出洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线。

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