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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种碳化硅VDMOS器件浅槽绝缘终端结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510518470.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅VDMOS器件浅槽绝缘终端结构及制备方法是由周海;陈彤;胡臻;何佳设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅VDMOS器件浅槽绝缘终端结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅VDMOS器件浅槽绝缘终端结构及制备方法，所述方法，包括：在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一左P+掺杂区以及第二左P+掺杂区；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P+阱区和截止环接触区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，通过热扩散形成第二右P+掺杂区及第一右P+掺杂区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成第二绝缘介质区及成第一绝缘介质区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层和截止环金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘层，去除阻挡层，保证终端耐压能力的同时节省了终端结构宽度。

本发明授权一种碳化硅VDMOS器件浅槽绝缘终端结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅VDMOS器件浅槽绝缘终端结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底上外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第一左P+掺杂区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，在N型漂移层上方重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第二左P+掺杂区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P+阱区和截止环接触区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，通过热扩散形成第二右P+掺杂区，第二P+掺杂区包括第二左P+掺杂区和第二右P+掺杂区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，通过热扩散形成第一右P+掺杂区，第一P+掺杂区包括第一左P+掺杂区和第一右P+掺杂区； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀第二P+掺杂区形成第二沟槽，淀积，形成第二绝缘介质区； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀第一P+掺杂区形成第一沟槽，淀积，形成第一绝缘介质区； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层和截止环金属层； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘层，去除阻挡层； 所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有P+阱区、第一绝缘介质区、第一P+掺杂区以及截止环接触区；所述P+阱区一侧面连接至所述第一绝缘介质区一侧面，所述P+阱区下侧面连接至所述第一P+掺杂区，所述第一绝缘介质区设于所述第一P+掺杂区内，所述截止环接触区位于所述第一P+掺杂区一侧； 所述绝缘层下侧面连接至所述第一绝缘介质区上侧面、第一P+掺杂区上侧面以及漂移层上侧面； 所述截止环金属层下侧面连接至所述截止环接触区上侧面； 所述源极金属层下侧面连接至P+阱区； 所述第二绝缘介质区设于所述第二P+掺杂区内，所述第二P+掺杂区位于所述第一P+掺杂区与截止环接触区之间；所述绝缘层下侧面连接至所述第二绝缘介质区上侧面以及第二P+掺杂区上侧面。

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