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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种GaN HEMT功率器件栅极退化检测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120103101B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510582853.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种GaN HEMT功率器件栅极退化检测装置及方法是由张东岩;裘翔帆;闫养希设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT功率器件栅极退化检测装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHEMT功率器件栅极退化检测装置及方法，属于性能检测技术领域，包括脉冲激励源、无源电路、采样电路、控制器及驱动电路；所述脉冲激励源经无源电路与待测GaNHEMT功率器件相连接，采样电路的输出端与控制器的输入端相连接，控制器的输出端经驱动电路与脉冲激励源的控制端相连接，控制器通过采样电路采集待测GaNHEMT功率器件中源极与栅极之间的电压信号V GS，并根据所述电压信号V GS判断待测GaNHEMT功率器件中栅极的退化程度，该装置及方法能够检测GaNHEMT功率器件的栅极退化程度，且具有操作简单及成本低的特点。

本发明授权一种GaN HEMT功率器件栅极退化检测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT功率器件栅极退化检测方法，其特征在于，基于GaNHEMT功率器件栅极退化检测装置，GaNHEMT功率器件栅极退化检测装置，包括脉冲激励源（W）、无源电路、采样电路（4）、控制器（1）及驱动电路（2）； 所述脉冲激励源（W）经无源电路与待测GaNHEMT功率器件（L）相连接，采样电路（4）的输出端与控制器（1）的输入端相连接，控制器（1）的输出端经驱动电路（2）与脉冲激励源（W）的控制端相连接，控制器（1）通过采样电路（4）采集待测GaNHEMT功率器件（L）中源极与栅极之间的电压信号V GS，并根据所述电压信号V GS判断待测GaNHEMT功率器件（L）中栅极的退化程度； 所述无源电路包括第一电阻（G1）、二极管（S）、第二电阻（G2）、第三电阻（G3）、第一电容（D1）及第二电容（D2），脉冲激励源（W）、第一电阻（G1）、二极管（S）及第二电阻（G2）依次串联组成串联回路，第三电阻（G3）与第一电容（D1）串联形成的串联支路与第一电阻（G1）并联连接，第二电容（D2）与第二电阻（G2）并联连接，二极管（S）与第二电阻（G2）串联形成的串联支路与待测GaNHEMT功率器件（L）并联连接； 包括以下步骤： 控制器（1）输出控制信号V 0至驱动电路（2），驱动电路（2）根据所述控制信号V 0生成脉冲激励电压信号V PULSE，所述脉冲激励电压信号V PULSE经无源电路施加到待测GaNHEMT功率器件（L）的栅极及源极上，通过采样电路（4）获取待测GaNHEMT功率器件（L）中栅极及源极之间的电压信号V GS，计算待测GaNHEMT功率器件（L）中栅极未退化时的响应电压V GS-CALC，再对比所述电压信号V GS与所述响应电压V GS-CALC，根据比较结果判断待测GaNHEMT功率器件（L）的栅极是否发生退化； 当待测GaNHEMT功率器件（L）的栅极发生退化时，则根据所述电压信号V GS的波形获取该电压信号V GS的实测电压平台值V GS-H及实测电压峰值V GS-MAX； 根据所述电压信号V GS的实测电压平台值V GS-H及实测电压峰值V GS-MAX判断GaNHEMT功率器件中栅极的退化程度； 所述待测GaNHEMT功率器件（L）中栅极未退化时的响应电压V GS-CALC为： 其中，V D为二极管（S）的压降，s为一个复数变量，R 1为第一电阻（G1）的电阻值，R 2为第二电阻（G2）的电阻值，R 3为第三电阻（G3）的电阻值，C 1为第一电容（D1）的电容值，C 2为第二电容（D2）的容值，C GS为待测GaNHEMT功率器件（L）中栅极与源极之间电容的电容值，R GS为待测GaNHEMT功率器件（L）的栅源等效电阻的电阻值； 所述根据所述电压信号V GS的实测电压平台值V GS-H及实测电压峰值V GS-MAX判断GaNHEMT功率器件中栅极的退化程度的过程为： 根据所述电压信号V GS的实测电压平台值V GS-H判断待测GaNHEMT功率器件（L）中栅源等效电阻的退化程度； 根据所述电压信号V GS的实测电压峰值V GS-MAX判断待测GaNHEMT功率器件（L）中栅极与源极之间电容的退化程度。

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