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龙图腾网恭喜无锡旷通半导体有限公司申请的专利多层外延的智能半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127057B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510626264.6，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权多层外延的智能半导体器件及制备方法是由廖巍;何军设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层外延的智能半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多层外延的智能半导体器件及制备方法，包括主半导体和功能半导体，功能半导体包括功能隔离区和设置在功能隔离区内侧的功能有源区，功能隔离区包括第二导电类型第一功能柱，设置在第一导电类型外延层内，第二导电类型第二功能柱设置在第二导电类型第一功能柱的正面且和第二导电类型第一功能柱连接，第二导电类型第二功能柱在第一方向上的宽度小于第二导电类型第一功能柱在第一方向上的宽度，功能有源区包括第二导电类型第三功能柱且设置在第一导电类型外延层内，第二导电类型第三功能柱沿第一方向上的宽度大于第二导电类型第二功能柱沿第一方向上的宽度，本发明具有隔离电压稳定，隔离电场更平滑，有效的降低了尖峰电场的效果。

本发明授权多层外延的智能半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层外延的智能半导体器件，其特征在于，包括集成设置的主半导体和至少一个功能半导体，所述功能半导体设置在所述主半导体内，所述功能半导体包括功能隔离区和设置在所述功能隔离区内侧的功能有源区； 所述功能隔离区、所述功能有源区以及所述主半导体共用第一导电类型衬底和第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层设置在所述第一导电类型衬底的正面； 所述功能隔离区包括： 第二导电类型第一功能柱，至少设置有两个，设置在所述第一导电类型外延层内； 第二导电类型第二功能柱，设置在每一个所述第二导电类型第一功能柱的正面且和所述第二导电类型第一功能柱连接，所述第二导电类型第二功能柱在第一方向上的宽度小于所述第二导电类型第一功能柱在第一方向上的宽度； 所述功能有源区包括第二导电类型第三功能柱，至少设置有两个且设置在所述第一导电类型外延层内，所述第二导电类型第三功能柱沿第一方向上的宽度大于所述第二导电类型第二功能柱沿第一方向上的宽度； 每一个所述第二导电类型第一功能柱对应的所述第二导电类型第二功能柱均至少设置有两个且均和对应的所述第二导电类型第一功能柱连接，两个所述第二导电类型第二功能柱平行设置，相邻的两个所述第二导电类型第二功能柱被中间的所述第一导电类型外延层隔开； 所述第二导电类型第二功能柱沿第一方向上的宽度设置为所述第二导电类型第一功能柱沿第一方向上宽度的一半。

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