恭喜株式会社半导体能源研究所高桥正弘获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109065553B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810945034.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法是由高桥正弘;广桥拓也;津吹将志;石原典隆;太田将志设计研发完成，并于2013-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法在说明书摘要公布了：提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。
本发明授权金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于， 包含栅电极、所述栅电极上的栅极绝缘膜、和所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层， 所述氧化物半导体层的沟道形成区包含通过纳米束电子衍射图案所观察到不是具有示出以特定平面取向的晶体部的规律性的多个斑点、而是呈圆周状分布的多个斑点的区域， 所述沟道形成区具有多个纳米晶体， 所述多个纳米晶体的表面取向不规则， 所述多个纳米晶体的各自的尺寸小于或等于10nm， 所述栅极绝缘膜具有氧化硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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