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龙图腾网恭喜重庆平创半导体研究院有限责任公司;重庆大学申请的专利GaN高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111211163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010158277.2，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权GaN高电子迁移率晶体管是由陈显平;李万杰;王黎明;张旭;钱靖;吴灵美设计研发完成，并于2020-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaN高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaN高电子迁移率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，设置在掺杂层靠近漏极的一侧；其中，沟道层与势垒层的临界处靠近沟道层的一侧具有二维电子气，沟道层在源极处的高度大于沟道层在栅极处的高度。通过使沟道层在源极处的厚度大于沟道层在栅极处的厚度，使得晶体管通电时，高浓度2‑DEG的流向为自上而下，有效避免或减弱了源极漏极之间电场的作用，从而提高晶体管的阈值电压。

本发明授权GaN高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种GaN高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，设置在所述衬底上； 沟道层，设置在所述缓冲层上； 势垒层，设置在所述沟道层上； 掺杂层，设置在所述势垒层上； 源极，设置在所述沟道层上，并位于所述势垒层的一侧； 漏极，设置在所述沟道层上，并位于所述势垒层的另一侧； 栅极，设置在所述掺杂层靠近所述漏极的一侧； 其中，所述沟道层与所述势垒层的临界处靠近所述沟道层的一侧具有二维电子气，所述沟道层在所述源极处的高度大于所述沟道层在所述栅极处的高度； 所述沟道层在所述源极处的高度大于所述沟道层在所述漏极处的高度； 所述沟道层仅包括倾斜沟道层，所述倾斜沟道层的上边界靠近所述源极的部分向上倾斜，所述倾斜沟道层的上边界靠近所述漏极的部分向下倾斜； 所述沟道层的下边界各处高度相同； 所述倾斜沟道层的下边界沿水平方向延伸； 所述GaN高电子迁移率晶体管还包括钝化层，所述钝化层的第一部分设置在所述势垒层、所述源极和所述漏极的上方，所述钝化层的第二部分设置在所述掺杂层与所述势垒层之间，所述钝化层的第三部分设置在所述栅极与所述势垒层之间； 所述钝化层的材料为Si3N4； 所述栅极的高度低于所述源极的高度，所述栅极的高度低于所述漏极的高度。

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