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龙图腾网恭喜ASM IP私人控股有限公司申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010226436.8，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权制造半导体装置的方法是由H.S.姜;Y.K.闵;W.G.林;J.G.余;J.O.柯;Y.H.金设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种具有提高的蚀刻选择性的衬底加工方法包括：用于在阶梯式结构上形成膜的第一操作，所述阶梯式结构具有顶部表面、底部表面和连接所述顶部表面和所述底部表面的侧表面，其中第一气氛被设定成缩短等离子体离子的平均自由路径并且使得所述等离子体离子不具有方向性；和用于改变所述膜的一部分的键合结构的第二操作，其中第二气氛被设定成使得所述等离子体离子具有方向性，其中所述第一操作重复多次，所述第二操作执行预定时间段，所述第一操作和所述第二操作形成成组循环，并且所述成组循环重复多次。

本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底加工方法，其包含： 用于在阶梯式结构上形成膜的第一操作，所述阶梯式结构具有顶部表面、底部表面和连接所述顶部表面和所述底部表面的侧表面，其中第一气氛被设定成缩短等离子体离子的平均自由路径并且使得所述等离子体离子不具有方向性；和 用于改变所述膜的一部分的键合结构的第二操作，其中第二气氛被设定成使得所述等离子体离子具有方向性； 其中所述第一操作重复多次，所述第二操作执行预定时间段，所述第一操作和所述第二操作形成成组循环，并且所述成组循环重复多次， 其中，所述方法还包括对通过执行所述成组循环多次形成的所述膜执行各向同性蚀刻；以及 其中 在成组循环中，所述第一操作执行m次，所述第二操作执行n秒， 并且调节n与m的比率以通过所述各向同性蚀刻控制剩余膜的轮廓， 在第一操作和第二操作期间，氮气作为反应气体供给，并且在第二操作中供应的氮气的量小于在第一操作供应的氮气的量， 第一气氛的温度高于第二气氛的温度。

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