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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利光学器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115280609B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080097515.1，技术领域涉及：H01S5/022；该发明授权光学器件是由陈欣设计研发完成，并于2020-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学器件在说明书摘要公布了：一种光学器件，具有第一面、第二面、光腔和有源区，其中，光腔由半导体衬底限定，并且具有在第一面和第二面之间延伸的长度，有源区用于将电荷注入到该腔中，并且在沿该腔的长度的各个距离处具有有效带隙能量，该器件包括：调制器，该调制器从位于第一面和第二面之间的第一端延伸，并且包括至少部分有源区；以及激光器，该激光器光耦合到调制器的第一端；其中，邻近第一端的该部分有源区的带隙能量高于远离第一端的该部分有源区的带隙能量。

本发明授权光学器件在权利要求书中公布了：1.一种光学器件，具有第一面、第二面、光腔和有源区，其中，所述光腔由半导体衬底限定，并且具有在所述第一面和所述第二面之间延伸的长度，所述有源区用于将电荷注入到所述光腔中，并且在沿所述光腔的长度的各个距离处具有有效带隙能量，所述器件包括： 调制器，从位于所述第一面和所述第二面之间的第一端延伸，并且包括至少部分有源区；以及 激光器，光耦合到所述调制器的第一端； 与所述光腔一起延伸的波导，用于诱导所述光腔中的光沿着所述光腔的长度传播，所述波导是脊形波导或掩埋异质结构波导； 隔离部分，所述隔离部分设置在所述调制器的有源区上； 设置在所述半导体衬底的任一侧上的电极对，并且所述激光器包括另一部分有源区，所述激光器被配置为使得通过在所述电极之间施加电流，从所述另一部分有源区激发光发射，所述电极对中的每一个电极设置在所述调制器的任一侧上，所述电极对包括集总电极或行波电极； 其中，邻近所述第一端的所述部分有源区的带隙能量高于远离所述第一端的所述部分有源区的带隙能量，所述第一端在所述调制器与所述激光器的界面处，所述带隙能量的变化通过选择性区域生长将所述调制器耦合到所述激光器来实现，所述有源区的掺杂浓度和厚度变化，当向所述调制器施加偏置电压时，所述部分有源区上的电场在沿着所述光腔的各距离处发生变化，所述选择性区域生长具体包括：在所述调制器区域中使用三角形掩膜以选择性地沿所述调制器的波导增强有源区生长，其中所述界面处的掩膜的宽度比远离所述界面的掩膜的宽度窄。

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