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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利垂直场效应晶体管器件和制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112103248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010558377.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权垂直场效应晶体管器件和制造其的方法是由金善培;全辉璨;金旻奎设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直场效应晶体管器件和制造其的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了垂直场效应晶体管VFET器件及其制造方法。该用于制造VFET器件的方法可以包括：提供中间VFET结构，其包括衬底、形成在衬底上的多个鳍结构以及在鳍结构之间形成在衬底上的掺杂层，掺杂层包括底部源极漏极SD区域；在衬底的顶表面之下并且在鳍结构之间穿过掺杂层和衬底形成浅沟槽，以使鳍结构彼此隔离；用绝缘材料填充浅沟槽和在鳍结构之间的空间；蚀刻除了在浅沟槽中以外在掺杂层的顶表面的高度之上填充在鳍结构之间的绝缘材料，使得具有处于掺杂层的顶表面的高度处或之上的顶表面的浅沟槽隔离STI结构形成在浅沟槽中；分别在鳍结构上形成栅极结构；以及在鳍结构之上形成顶部SD区域。

本发明授权垂直场效应晶体管器件和制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造垂直场效应晶体管器件的方法，所述方法包括： 提供中间垂直场效应晶体管结构，所述中间垂直场效应晶体管结构包括衬底、形成在所述衬底上的多个鳍结构以及在所述鳍结构之间形成在所述衬底上的掺杂层，所述掺杂层包括底部源极漏极区域，所述鳍结构的底表面和所述掺杂层的底表面在相同平面上； 在所述衬底的顶表面之下并且在所述鳍结构之间穿过所述掺杂层和所述衬底形成浅沟槽，以使所述鳍结构彼此隔离； 用绝缘材料填充所述浅沟槽和在所述鳍结构之间的空间； 蚀刻除了在所述浅沟槽中以外在所述掺杂层的顶表面的高度之上填充在所述鳍结构之间的所述绝缘材料，使得具有处于所述掺杂层的所述顶表面的所述高度处或之上的顶表面的浅沟槽隔离结构形成在所述浅沟槽中； 分别在所述鳍结构上形成栅极结构；以及 在所述鳍结构之上形成顶部源极漏极区域， 其中执行蚀刻所述绝缘材料，使得与在所述浅沟槽和所述鳍结构之间的位置处的所述绝缘材料相比，在所述浅沟槽之上的位置处的所述绝缘材料被延迟蚀刻。

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