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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010716528.4，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法是由金泰镐设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法。半导体存储器件包括电阻变化存储器件，所述电阻变化存储器件包括控制电路块和与控制电路块电连接的多个存储层。半导体存储器件包括模式生成块、位置校正块和位置确定块。模式生成块接收行地址、列地址和存储层选择信号而生成多个模式生成信号，所述多个模式生成信号用于以各种模式选择存储层中的多个存储单元。位置校正块接收临时代码并且将存储层的位置反映在临时代码中以输出校正代码，所述临时代码用于将存储单元分类为临时近单元区域和临时远单元区域。位置确定块被配置为基于模式生成信号和校正代码而生成第一重置信号至第三重置信号以重置近单元区域、中间单元区域和远单元区域。

本发明授权半导体存储器件、半导体存储系统及其驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括控制电路块和与所述控制电路块电连接的多个存储层，所述多个存储层中的每个存储层包括使用可变电阻元件作为储存介质的多个存储单元，所述半导体存储器件包括： 区域重置电路，其被配置为接收临时代码和所选存储单元的地址以基于所述多个存储层的位错误率而重置远单元区域、中间单元区域和近单元区域， 其中，所述区域重置电路包括： 模式生成块，其被配置为接收行地址、列地址和存储层选择信号而生成多个模式生成信号，所述多个模式生成信号用于以各种模式选择在所选存储层中的多个存储单元； 位置校正块，其被配置为接收所述临时代码以将所述存储层的位置反映在所述临时代码中并且输出校正代码，所述临时代码用于将所述存储单元分类为临时近单元区域和临时远单元区域；以及 位置确定块，其被配置为基于所述多个模式生成信号和所述校正代码而生成第一重置信号至第三重置信号以重置所述近单元区域、所述中间单元区域和所述远单元区域。

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