恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴政达获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011055346.3，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路是由吴政达;谢佳达;巫国维;张煜群;曾映绫设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路在说明书摘要公布了：本申请的各个实施例针对一种用于形成具有厚器件层和厚绝缘体层的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。在一些实施例中，该方法包括形成覆盖处理衬底的绝缘体层，以及在牺牲衬底上外延形成器件层。将牺牲衬底接合到处理衬底，使得器件层和绝缘体层位于牺牲衬底和处理衬底之间，并且去除牺牲衬底。去除包括对牺牲衬底执行蚀刻，直到到达器件层。因为器件层是通过外延形成的并且转移到处理衬底，所以器件层可以形成为具有较大的厚度。此外，因为外延不受绝缘体层的厚度的影响，所以绝缘体层可以形成为具有较大的厚度。本发明的实施例还涉及绝缘体上半导体SOI衬底及其形成方法、集成电路。
本发明授权绝缘体上半导体（SOI）衬底及其形成方法、集成电路在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上半导体衬底，包括： 处理衬底； 器件层，位于所述处理衬底的上表面上方；以及 绝缘体层，所述绝缘体层覆盖所述处理衬底的上表面以将所述处理衬底的上表面与所述器件层分隔开，所述绝缘体层还覆盖所述处理衬底的下表面并且覆盖所述处理衬底的侧壁，所述绝缘体层在第一界面处与所述器件层接触，并且在第二界面处与所述处理衬底接触，其中，所述绝缘体层包括金属污染物和结合到所述金属污染物的吸气剂材料，所述吸气剂材料具有吸气剂浓度轮廓，所述吸气剂浓度轮廓具有在所述第一界面处的第一峰值浓度、在所述第二界面处的第二峰值浓度以及在所述第一界面和所述第二界面之间的位置处的谷浓度，所述谷浓度小于所述第一峰值浓度和所述第二峰值浓度中的每个。
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