恭喜苏州华太电子技术有限公司黄安东获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州华太电子技术有限公司申请的专利一种场效应晶体管的建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114386347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011115348.7，技术领域涉及：G06F30/33；该发明授权一种场效应晶体管的建模方法是由黄安东设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场效应晶体管的建模方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种场效应晶体管的建模方法，包括：建立FET的小信号本征部分等效电路，并由此获得内部本征参数与外部偏置的关系；构建FET的大信号模型，其包括栅极电荷源、漏极电荷源、栅极电流源、漏极电流源和NQS子电路；通过对端口电压进行路径积分，得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关系；之后可使用查找表的方式储存或使用神经网络训练得到神经网络解析模型。本申请在电流源和电荷源的积分过程中，将NQS效应全部剔除，这种建模方式与NQS的物理机理一致，保证了小信号模型和大信号模型的统一，模型的精度不受频带的影响，也不需要使用高阶源，无论从模型的鲁棒性，精确度以及模型抽取的难度而言，都显著优于现有模型框架。
本发明授权一种场效应晶体管的建模方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管的建模方法，其特征在于包括： 构建场效应晶体管小信号本征部分等效电路，该小信号本征部分等效电路的Y参数为： 其中Yint为本征Y参数，为二端口Y矩阵的每一个元素，i、j＝1或2，yg11为的实部，yg12为的实部，gm为跨导，gds为输出导纳，ω为角频率，Cgs为栅源电容，Cgd为栅漏电容，Cds为漏源电容； 由式I计算得到Cgs、Cgd、Cds以及由NQS效应引起的跨容Cm、跨导gm、输出导纳gds、NQS时延τ，其中： 构建场效应晶体管的大信号模型，该大信号模型包括栅极电荷源Qg、漏极电荷源Qd、栅极电流源Ig、漏极电流源Id和NQS子电路，所述NQS子电路对应于栅极电压时延电路，并通过对端口电压进行路径积分，得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关系，即： 其中，Vgs、Vds分别为栅源电压、源漏电压。
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