恭喜东方晶源微电子科技(北京)有限公司深圳分公司高世嘉获国家专利权
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龙图腾网恭喜东方晶源微电子科技(北京)有限公司深圳分公司申请的专利一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112257270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011153654.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备是由高世嘉;谢理设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备在说明书摘要公布了：发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备。一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法，基于弹性力学对光刻胶的形变进行分析，设定应力、应变之一者作为光刻胶形变量的等效以获得等效方程，选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算以获得应力或者应变的近似值，根据所述近似值对光场分布进行调整以获得合适的酸浓度分布，使得曝光图形和目标图形最接近，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性，同时，采用泰勒展开式对热收缩效应进行拟合，提高计算速度，因此，解决了全芯片负向显影光刻工艺计算复杂的问题。
本发明授权一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、OPC模型及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法，其特征在于：包括如下步骤： S1、通过光学模型得到光刻胶的光场分布，设定光场分布为Ex,y，且设定光刻胶中酸浓度的分布为光场分布的函数，即Sx,y＝FEx,y； S2、设定光刻胶在后烘过程中的热收缩效应为弹性形变，基于弹性力学对光刻胶的弹性形变进行分析，设定应力、应变之一者作为光刻胶形变量的等效以获得等效方程，所述等效方程为微分方程；及 S3、选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算以获得应力或者应变的近似值，根据所述近似值对光场分布进行调整以获得合适的酸浓度分布。
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