恭喜戴森技术有限公司M.伦德尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜戴森技术有限公司申请的专利溅射沉积设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080088594.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权溅射沉积设备和方法是由M.伦德尔;R.格鲁尔设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本溅射沉积设备和方法在说明书摘要公布了：本文所述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，该设备包括基底保持器件、靶装载器件、用于产生等离子体的等离子体源和磁体布置。基底保持器件用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到基底。靶装载器件用于将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积区，以便在使用中将靶材料从第二靶溅射沉积到基底。磁体布置配置为将等离子体在设备内限制到靶启动区和溅射沉积区。在靶启动区内，相应靶在使用中暴露于等离子体。溅射沉积区提供靶材料的溅射沉积。
本发明授权溅射沉积设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种溅射沉积设备，包括： 基底保持器件，用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到所述基底； 靶装载器件，用于将第二靶从靶启动区移动到所述溅射沉积区中，以在使用中将靶材料从所述第二靶溅射沉积到基底； 等离子体源，用于产生等离子体； 磁体布置，其配置为将所述等离子体在设备内限制到： 靶启动区，相应靶在使用中在该靶启动区中暴露于所述等离子体，以消融相应靶的表面而无需溅射沉积到基底；以及 溅射沉积区，用于靶材料的溅射沉积。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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