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龙图腾网恭喜派恩杰半导体(杭州)有限公司申请的专利碳化硅结型场效应管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011283253.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅结型场效应管是由张梓豪设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅结型场效应管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硅结型场效应管。该碳化硅结型场效应管包括碳化硅衬底101、设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层102、阻断注入区103、设置在碳化硅外延层102的左右两侧的两个栅极注入区104和两个源极注入区105、以及栅极金属电极107和源极金属电极106，该栅极注入区104的正向截面为L型，包括竖直边和垂直边，在侧向沿整个碳化硅外延层102延伸，两个栅极注入区104的L型截面的竖直边相背对；源极注入区105设置在对应的L型截面的横边上，沿整个碳化硅外延层102的侧向延伸，阻断注入区103与两个栅极注入区104的L型截面的竖直边分别通过第一连通柱110相连接。

本发明授权碳化硅结型场效应管在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅结型场效应管，其特征在于， 所述碳化硅结型场效应管包括碳化硅衬底101、设置在所述碳化硅衬底101上的碳化硅外延层102、阻断注入区103、设置在所述碳化硅外延层102的左右两侧的两个栅极注入区104和两个源极注入区105、以及栅极金属电极107和源极金属电极106、连通所述源极金属电极106和所述源极注入区105的第二连通柱109， 所述栅极注入区104在正向截面为L型，包括竖直边和横边，在侧向沿整个碳化硅外延层102延伸，所述两个栅极注入区104的L型截面的竖直边相背对； 所述源极注入区105设置在对应的所述栅极注入区104的L型截面的横边上，所述源极注入区105沿整个碳化硅外延层102的侧向延伸， 所述阻断注入区103与所述两个栅极注入区104的L型截面的竖直边分别通过第一连通柱110相连接， 所述第二连通柱109和所述源极注入区105的掺杂类型为第一导电类型，所述第一连通柱110、所述阻断注入区103和所述栅极注入区104的掺杂类型为第二导电类型，所述碳化硅衬底101和碳化硅外延层102的掺杂类型为第一导电类型。

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