恭喜华南理工大学徐苗获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011314502.3，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用是由徐苗;徐华;李民;彭俊彪;王磊;邹建华;陶洪设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属氧化物半导体，其为：在含铟的金属氧化物MO‑In2O3半导体中，分别掺入至少两种的稀土元素R的氧化物和稀土元素R’的氧化物，形成InxMyRnR’mOz半导体材料。本发明通过在含铟的金属氧化物中引入稀土元素R和R’的氧化物，分别作为载流子控制，以及光稳定性增强的作用，通过利用稀土元素R的氧化物中极高的氧断键能，进而有效控制半导体内的载流子浓度，同时，利用稀土离子半径和氧化铟中的铟离子半径相当的特性，且稀土元素R’离子中4f轨道结构和铟离子的5s轨道能形成高效的电荷转换中心，以提高其电学稳定性，特别是光照下的稳定性。本发明还提供基于该金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。
本发明授权一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体，其特征在于，该金属氧化物半导体为：在含铟的金属氧化物MO-In2O3半导体中，分别掺入至少两种的稀土元素R的氧化物和稀土元素R’的氧化物，形成InxMyRnR’mOz半导体材料，其中，x+y+m+n＝1，0.4≤x＜0.9999，0≤y＜0.5，0.0001≤m+n≤0.2，m＞0，n＞0，z＞0； 所述MO中，M为Zn、Ga、Sn、Ge、Sb、Al、Mg、Ti、Zr、Hf、Ta、W中的一种或任意两种以上材料组合； 所述稀土元素R的氧化物为载流子浓度控制剂； 所述稀土元素R的氧化物为氧化镱、氧化铕中的一种或两种材料组合； 所述稀土元素R’的氧化物为光稳定剂； 所述稀土元素R’的氧化物为氧化镨、氧化铽、氧化铈、氧化镝中的一种或任意两种以上材料组合。
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