恭喜深圳市威兆半导体有限公司赵浩宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市威兆半导体有限公司申请的专利一种复合沟槽分立栅功率器件及其加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112436055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011427090.4，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种复合沟槽分立栅功率器件及其加工工艺是由赵浩宇;姜春亮;雷秀芳;杜兆董设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合沟槽分立栅功率器件及其加工工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种复合沟槽分立栅功率器件及其加工工艺，该功率器件包括设有一个T形的复合沟槽结构，所述复合沟槽结构由一个深沟槽和一个浅沟槽组合形成，所述浅沟槽于深沟槽上方形成，其宽度大于所述深沟槽，在深沟槽的内壁上生长有第一栅氧层，由深沟槽第一栅氧层上填充并延伸到浅沟槽上方的栅极多晶硅，所述浅沟槽内壁以及浅沟槽内栅极多晶硅层外壁上生长有第二栅氧层，所述浅沟槽的第二栅氧层上填充有分立栅极多晶硅；其加工工艺主要是采用深沟槽、浅沟槽依次刻蚀的方式。本发明解决了传统沟槽栅的抗雪崩击穿较差的问题；改善了传统沟槽栅的漏电上涨问题；采用分立栅极结构，结合了平面栅极及沟槽栅极的优势，提高了栅极容量。
本发明授权一种复合沟槽分立栅功率器件及其加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种复合沟槽分立栅功率器件，其特征在于：设有一个T形的复合沟槽结构，所述复合沟槽结构由一个深沟槽和一个浅沟槽组合形成，所述浅沟槽于深沟槽上方形成，其宽度大于所述深沟槽，在深沟槽的内壁上生长有第一栅氧层，由深沟槽第一栅氧层上填充并延伸到浅沟槽上方的栅极多晶硅，所述浅沟槽内壁以及浅沟槽内栅极多晶硅层外壁上生长有第二栅氧层，所述浅沟槽的第二栅氧层上填充有分立栅极多晶硅；所述分立栅极多晶硅采用从左到右的分立结构； 所述栅极多晶硅层在浅沟槽内部分宽度小于在深沟槽内部分的宽度； 所述复合沟槽结构外围形成有P形体区和N源区，所述N源区位于所述P形体区上方；所述复合沟槽结构上垫积有隔离层介质，完全覆盖所述复合沟槽结构；所述隔离层介质及N源区上还垫积有发射极金属。
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