恭喜深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院高芳亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院申请的专利一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011548786.2，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法是由高芳亮;杨金铭设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法，所述Si衬底的GaN薄膜包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的SixNy层、生长在所述SixNy层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的低温GaN层、生长在所述低温GaN层上的高温GaN层。本发明实施例在缓冲层结构中插入SixNy层，有利于缓解外延层生长过程中产生的应力，并且该层能够有效的钉扎位错，最终能够有效缓解薄膜中缺陷密度，从而实现高晶体质量GaN薄膜生长；本发明使用Si作为衬底，衬底容易获得，有利于降低生产成本。
本发明授权一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si衬底的GaN薄膜，其特征在于，包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的SixNy层、生长在所述SixNy层上的第二AlGaN层、生长在所述第二AlGaN层上的低温GaN层、生长在所述低温GaN层上的高温GaN层； 所述基础AlN层的厚度为200～400nm； 所述第一AlGaN层的厚度为250nm；第一AlGaN层为AlxGa1-xN，其中x≥0.5； 所述SixNy层的厚度为5nm； 所述第二AlGaN层的厚度为250nm；第二AlGaN层为AlxGa1-xN，其中x≤0.1； 所述低温GaN层的厚度为300nm； 所述高温GaN层的厚度为2μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道45号西北工业大学三航科技大厦16层1611；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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