恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网恭喜芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种BiCMOS器件及其中的异质结双极晶体管制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011579597.1，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种BiCMOS器件及其中的异质结双极晶体管制造方法是由季明华;张汝京设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种BiCMOS器件及其中的异质结双极晶体管制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种BiCMOS及其中的异质结双极晶体管制造方法，在形成异质结双极晶体管的抬高的非本征基区时，首先在外延硅中原位掺杂C和B，并且同时掺杂金属催化剂，然后对C进行等离子体处理以及激光退火，在Si外延层中形成石墨烯区域，由于石墨烯具有良好的迁移率，由此能够降低SiGeHBT的基极电阻，提高其射频性能。上述方法在传统BiCMOS器件工艺基础上通过对掺杂的C进行等离子体处理及激光退火就能在非本征基区内形成石墨烯区域，整个过程易于控制，易于与传统BiCMOS器件工艺集成。
本发明授权一种BiCMOS器件及其中的异质结双极晶体管制造方法在权利要求书中公布了：1.一种BiCMOS器件中的异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底，所述衬底包括CMOS器件区及HBT器件区； 在所述衬底中形成阱区，相邻阱区之间形成有浅沟槽隔离； 在所述HBT器件区的阱区上方形成第一导电类型的集电区； 在所述集电区上方形成第二导电类型的本征基区； 所述本征基区上方形成第一导电类型的发射区； 通过以下步骤在所述发射区两侧形成抬高的第二导电类型的非本征基区： 在所述发射区两侧选择性外延生长硅层； 在所述硅层中掺杂C和B； 对掺杂后的C进行等离子体处理； 对掺杂后的所述硅层进行激光退火，在所述硅层中形成石墨烯区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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