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龙图腾网恭喜桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730701B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081818.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法是由织田宪明;翁照男设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法在说明书摘要公布了：可在半导体衬底上方形成半导体器件，并且可在该半导体器件上形成嵌入金属互连结构的互连层级介电材料层。在一个实施方案中，可形成焊盘连接通孔层级介电材料层、近侧介电扩散阻挡层和焊盘层级介电材料层。可在该焊盘层级介电材料层中形成由介电扩散阻挡部分包围的接合焊盘。在另一个实施方案中，可形成近侧介电扩散阻挡层和焊盘和通孔层级介电材料层的层堆叠。可穿过该焊盘和通孔层级介电材料层形成集成焊盘和通孔腔，并且可填充有含有介电扩散阻挡部分和集成焊盘和通孔结构的接合焊盘。

本发明授权包括嵌入接合焊盘的扩散阻挡层的半导体裸片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种结构，所述结构包括第一半导体裸片，其中所述第一半导体裸片包括： 第一半导体器件，所述第一半导体器件位于第一衬底上方； 第一互连层级介电材料层，所述第一互连层级介电材料层嵌入第一金属互连结构，所述第一金属互连结构电连接到所述第一半导体器件并覆于所述第一半导体器件之上； 第一焊盘连接通孔层级介电材料层和第一近侧介电扩散阻挡层的层堆叠，所述层堆叠覆于所述第一互连层级介电材料层之上并嵌入第一焊盘连接通孔结构；以及 第一焊盘层级介电材料层，所述第一焊盘层级介电材料层包括第一焊盘腔，所述第一焊盘腔填充有第一接合焊盘和相应第一介电扩散阻挡部分的相应组合，其中所述第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘接触所述第一焊盘连接通孔结构的相应子组； 其中所述第一介电扩散阻挡部分中的每个第一介电扩散阻挡部分接触所述第一近侧介电扩散阻挡层的顶表面； 其中所述第一介电扩散阻挡部分中的每个第一介电扩散阻挡部分包括侧壁段，所述侧壁段与所述第一焊盘层级介电材料层接触并从所述第一焊盘层级介电材料层的底表面延伸到所述第一焊盘层级介电材料层的顶表面； 其中所述第一介电扩散阻挡部分中的每个第一介电扩散阻挡部分还包括水平段，所述水平段具有接触所述第一近侧介电扩散阻挡层的底表面，其中所述底表面包括邻接所述侧壁段的底边缘的外周边和从所述外周边向内横向地偏移了偏移距离的内周边，所述偏移距离大于所述第一介电扩散阻挡部分的所述侧壁段的厚度。

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