恭喜铠侠股份有限公司石田贵士获国家专利权
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龙图腾网恭喜铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113870923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110093272.0，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权半导体存储装置及其控制方法是由石田贵士;菅野裕士设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其控制方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够提高对存储单元晶体管的擦除动作的可靠性的半导体存储装置及其控制方法。根据一实施方式，半导体存储装置具备与多个存储单元晶体管电连接的第一布线。所述装置还具备对所述第一布线施加第一电压而擦除存储于所述存储单元晶体管的数据的擦除部。而且，所述擦除部以所述第一电压上升到第一值、从所述第一值下降到第二值、维持在所述第二值的方式施加所述第一电压。
本发明授权半导体存储装置及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 多个存储单元晶体管，相互串联地连接； 源极侧选择晶体管，连接于所述多个存储单元晶体管的一端； 源极侧选择线，电连接于所述源极侧选择晶体管的控制端子； 源极线，电连接于所述源极侧选择晶体管的主端子，被施加第一电压；以及 控制电路，执行通过反复进行一次以上的擦除电压施加动作、从而将存储于所述多个存储单元晶体管的数据擦除的擦除动作， 所述控制电路， 在一次以上的擦除电压施加动作中的第一擦除电压施加动作中，以所述第一电压从初始值上升到第一值后、在第一定时从所述第一值下降到比初始值大的第二值、并维持为所述第二值的方式施加所述第一电压， 在所述第一擦除电压施加动作中，在所述第一定时向所述源极侧选择线施加比所述第一电压小的第二电压。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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