恭喜艾普凌科有限公司加藤贵博获国家专利权
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龙图腾网恭喜艾普凌科有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110189169.6，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权半导体装置及其制造方法是由加藤贵博设计研发完成，并于2021-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够减小从密封树脂向半导体元件的应力的半导体装置。半导体元件1搭载于晶片焊盘5，配置于半导体元件1的上表面的外周的电极焊盘6与引线4经由导线3电连接。在半导体元件1有对应力的灵敏度高的元件区域1a和对应力的灵敏度低的元件区域1b，低应力树脂膜51设置于对应力的灵敏度高的元件区域1a之上，半导体元件1、低应力树脂膜51、晶片焊盘5和引线4由密封树脂2覆盖。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 在元件面形成有对应力的灵敏度高的元件区域的半导体元件； 晶片焊盘，载置有所述半导体元件； 引线，与所述晶片焊盘分离而配置； 低应力树脂膜，设置成覆盖所述元件区域；和 密封树脂，被覆所述半导体元件、所述低应力树脂膜、所述晶片焊盘和所述引线； 所述低应力树脂膜具有比所述密封树脂更小的杨氏模量，在所述低应力树脂膜的与所述半导体元件相接的表面的相反面具有第一凹状曲面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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