恭喜台湾积体电路制造股份有限公司朱家宏获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件结构、半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113488465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110409617.9，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件结构、半导体器件及其形成方法是由朱家宏;王菘豊;梁顺鑫;张旭凯;时定康;洪宗佑;蔡邦彦;林耕竹设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构、半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：根据本发明的半导体器件结构包括：源极部件和漏极部件；至少一个沟道结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹至少一个沟道结构的每个；半导体层，位于栅极结构上方；介电层，位于半导体层上方；掺杂的半导体部件，延伸穿过半导体层和介电层以与源极部件接触；金属接触插塞，位于掺杂的半导体部件上方；以及掩埋电源轨，设置在金属接触插塞上方。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
本发明授权半导体器件结构、半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，包括： 源极部件和漏极部件； 至少一个沟道结构，在所述源极部件和所述漏极部件之间延伸； 栅极结构，包裹所述至少一个沟道结构的每个； 半导体层，位于所述栅极结构上方； 介电层，位于所述半导体层上方； 掺杂的半导体部件，延伸穿过所述半导体层和所述介电层以与所述源极部件接触； 金属接触插塞，位于所述掺杂的半导体部件上方；以及 掩埋电源轨，设置在所述金属接触插塞上方， 其中，所述源极部件包括与所述至少一个沟道结构接触的外部层和与所述至少一个沟道结构间隔开的内部层，并且所述掺杂的半导体部件与所述内部层接触并且与所述外部层间隔开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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